リン化インジウム

リン化インジウムの説明

リン化インジウム（InP）は、インジウムとリンで構成される二元半導体です。 それは、GaAsおよびほとんどのIII-V半導体の結晶構造と同一の面心立方（「閃亜鉛鉱」）結晶構造を持っています。

InPは、400度での白リンとヨウ化インジウムの反応から、また高温高圧で精製元素を直接組み合わせることによって、またはトリアルキルインジウム化合物とホスフィンの混合物の熱分解によって調製することができます。

InPは、より一般的な半導体であるシリコンやガリウムヒ素に比べて電子速度が優れているため、高出力および高周波の電子機器で使用されています。 直接バンドギャップがあり、レーザーダイオードなどのオプトエレクトロニクスデバイスに役立ちます。 InPは、エピタキシャルインジウムガリウムヒ素をベースにしたオプトエレクトロニクスデバイスの基板としても使用されます。

リン化インジウムの用途と関連産業

●オプトエレクトロニクスコンポーネント

●高速電子機器

●太陽光発電

●セラミック

●太陽エネルギー

●研究所＆研究所

化学的識別子

リン化インジウムの特性（理論的）

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