製品

ヒ化インジウム

CAS番号：1303-11-3

機能

CAS番号：	1303-11-3
一次方程式：	InAs
純度：	99パーセント- 99.999パーセント
外観：	さまざまな形の灰色の結晶性固体（ピース、粉末、顆粒、インゴット、ウェーハ、ターゲット）
粒子サイズ：	−100メッシュまたはカスタマイズ

インジウムヒ素の説明

インジウムヒ素、InAs、またはインジウムモノヒ素は、インジウムとヒ素で構成される狭バンドギャップ半導体です。融点が942度の灰色の立方晶の外観をしています。ガリウムヒ素と特性が類似しており、直接バンドギャップ材料であり、室温でのバンドギャップは0.35eVです。

ヒ化インジウムはバンドギャップの狭い半導体であり、非常に高速（および低電力）で動作する電子デバイスや赤外線検出器に適した材料です。

ヒ化インジウムは、その高い電子移動度でもよく知られており、強力なフォトデンバーエミッターであるため、テラヘルツ放射源として広く使用されています。

インジウムヒ素の用途と関連産業

●赤外線検出器

●テラヘルツ放射源

●半導体

●エレクトロニクス

●研究所＆研究所

化学的識別子

一次方程式	InAs
MDL番号	MFCD00016144
EC番号	215-115-3
Beilstein / Reaxys No.	N/A
Pubchem CID	91500
IUPAC名	インジガニリジネアサン
SMILES	[As]＃[In]
InchI識別子	InChI =1 S / As.In
InchIキー	RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N

インジウムヒ化物の特性（理論的）

複合式	AsIn
分子量	189.74
外観	さまざまな形の灰色の結晶性固体-破片、粉末、顆粒、インゴット、ウェーハ、ターゲット
融点	936-942度
沸点	N/A
密度	5.67 g / cm³
H2Oへの溶解度	不溶性
屈折率	n20/D 3.51
結晶相/構造	閃亜鉛鉱
熱伝導率	0。27W/ cm・K（300 K）
正確な質量	189.825474
モノアイソトピックマス	189.825474

インジウムヒ素の健康と安全に関する情報